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지름이 약 0.175nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)에 불과한 홀뮴(Ho) 원자를 이용해 ‘원자 단위 메모리 기술’을 개발했다. 자성을 띤 원자의 두 가지 상태가 각각 0과 1을 표현하도록 만든 것이다.
현재 상용화된 메모리칩은 1비트를 구현하는 데 약 10만 개의 원자가 필요하다. 원자 단위의 메모리 기술을 사용하면 USB 메모리칩 크기에 약 100만 GB에 이르는 정보를 담을 수 있는데 원자 1개에 컴퓨터 기억장치가 사용하는 정보의 최소 단위인 1비트를 안정적으로 읽고 쓸 수 있다.
메모리칩은 같은 크기라도 반도체 회로선폭이 좁을수록 넣을 수 있는 회로와 데이터양이 많아진다. 하지만 발열 문제 등의 한계로 10nm 수준이라는 난관에 부딪혔다. 반면 원자 단위 메모리 기술은 홀뮴 원자의 간격이 1nm로 밀접해도 작동이 된다. 차세대 컴퓨터인 양자컴퓨터의 정보 저장 기술을 개발하는 데에도 도움이 될 것이다. 이 연구 결과는 국제학술지 네이처에 게재됐다.
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